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RUR040N02HZGTL

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Pour Référence Seulement

Référence RUR040N02HZGTL
Fabricant Rohm Semiconductor
Description MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 17 358 piece(s)
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Spécifications RUR040N02HZGTL

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 10 V
Vgs (Max)±10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)700mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs35mOhm @ 4A, 4.5V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTSMT3
Paquet / casSC-96

RUR040N02HZGTL Packaging

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Packing
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RUR040N02HZGTL FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RUR040N02HZGTL?
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