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RUC002N05HZGT116

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Pour Référence Seulement

Référence RUC002N05HZGT116
Fabricant Rohm Semiconductor
Description MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 610 piece(s)
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Spécifications RUC002N05HZGT116

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)50 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C200mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
Vgs (Max)±8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)350mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs-
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSST3
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RUC002N05HZGT116 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RUC002N05HZGT116 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RUC002N05HZGT116 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the RUC002N05HZGT116 price and inventory displayed accurate?
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produits présentés

WSL2010R0100FEA

RES SMD 0.01 OHM 1% 1/2W 2010

MAX3387EEUG+T

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SBB-5089Z

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MAX6370KA+T

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RELAY SSR 240VAC 2A TRIAC 4-SIP

T491D106K050AT

CAP TANT 10UF 50V 10% 2917

PIC16F77-I/P

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIP

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