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RQ3L090GNTB

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Pour Référence Seulement

Référence RQ3L090GNTB
Fabricant Rohm Semiconductor
Description MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 53 100 piece(s)
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Spécifications RQ3L090GNTB

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C9A (Ta), 30A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 300µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs24.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1260 pF @ 30 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs13.9mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-HSMT (3.2x3)
Paquet / cas8-PowerVDFN

RQ3L090GNTB Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RQ3L090GNTB FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RQ3L090GNTB is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the RQ3L090GNTB price and inventory displayed accurate?
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IC MCU 8BIT 14KB FLASH 20SSOP

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