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RN49A1-TE85L-F

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Pour Référence Seulement

Référence RN49A1-TE85L-F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description PNP + NPN BRT Q1BSR=2.2KOHM Q1BE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications RN49A1-TE85L-F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2kOhms, 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Fréquence - Transition200MHz, 250MHz
Puissance - Max200mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurUS6

RN49A1-TE85L-F Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RN49A1-TE85L-F FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN49A1-TE85L-F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN49A1-TE85L-F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN49A1-TE85L-F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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WSL2010R0100FEA

RES SMD 0.01 OHM 1% 1/2W 2010

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