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RN4988FE-LF-CT

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Pour Référence Seulement

Référence RN4988FE-LF-CT
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 12 000 piece(s)
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Spécifications RN4988FE-LF-CT

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Fréquence - Transition250MHz, 200MHz
Puissance - Max100mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseurES6

RN4988FE-LF-CT Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

RN4988FE-LF-CT FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN4988FE-LF-CT. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN4988FE-LF-CT on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN4988FE-LF-CT products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of RN4988FE-LF-CT?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of RN4988FE-LF-CT.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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