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RN4901FE-LF-CT

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Pour Référence Seulement

Référence RN4901FE-LF-CT
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 990 piece(s)
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Spécifications RN4901FE-LF-CT

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)4.7kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Fréquence - Transition200MHz, 250MHz
Puissance - Max100mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseurES6

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Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

RN4901FE-LF-CT FAQ

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