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RN2905FE-LF-CT

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Référence RN2905FE-LF-CT
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications RN2905FE-LF-CT

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Fréquence - Transition200MHz
Puissance - Max100mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseurES6

RN2905FE-LF-CT Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RN2905FE-LF-CT FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN2905FE-LF-CT is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN2905FE-LF-CT. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN2905FE-LF-CT on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN2905FE-LF-CT products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of RN2905FE-LF-CT?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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