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RN2105MFV-L3F-CT

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Pour Référence Seulement

Référence RN2105MFV-L3F-CT
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 529 piece(s)
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Spécifications RN2105MFV-L3F-CT

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorPNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50 V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47 kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Fréquence - Transition250 MHz
Puissance - Max150 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-723
Package de périphérique fournisseurVESM

RN2105MFV-L3F-CT Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RN2105MFV-L3F-CT FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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