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RN1969FE(TE85L,F)

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Pour Référence Seulement

Référence RN1969FE(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Fiche technique
paquet SOT-563, SOT-666
ECAD
En stock 5 328 piece(s)
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Spécifications RN1969FE(TE85L,F)

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
paquetSOT-563, SOT-666
ECAD
Séries-
Type de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)22k
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Fréquence - Transition250MHz
Puissance - Max100mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseurES6

RN1969FE(TE85L,F) Packaging

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Sealing
Packing
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RN1969FE(TE85L,F) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RN1969FE(TE85L,F) is from the original manufacturer or authorized agents?
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RN1969FE(TE85L,F) Produits Connexes

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Référence Fabricant Description Stock

RN1969FE(TE85L,F)

D# RN1969FE(TE85LF)TR-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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