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RN1709JE-TE85L-F

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Pour Référence Seulement

Référence RN1709JE-TE85L-F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description NPN X 2 BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER=2
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications RN1709JE-TE85L-F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)22kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Fréquence - Transition250MHz
Puissance - Max100mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-553
Package de périphérique fournisseurESV

RN1709JE-TE85L-F Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RN1709JE-TE85L-F FAQ

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