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RN1118MFV-L3F

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Pour Référence Seulement

Référence RN1118MFV-L3F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications RN1118MFV-L3F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50 V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10 kOhms
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Fréquence - Transition250 MHz
Puissance - Max150 mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-723
Package de périphérique fournisseurVESM

RN1118MFV-L3F Packaging

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Sealing
Packing
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RN1118MFV-L3F FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RN1118MFV-L3F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RN1118MFV-L3F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RN1118MFV-L3F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RN1118MFV-L3F?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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