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RJK5018DPK-00#T0

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Pour Référence Seulement

Référence RJK5018DPK-00#T0
Fabricant Renesas Electronics America
Description MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
Fiche technique

RJK5018DPK-00#T0 Fiche technique

paquet TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
En stock 6 352 piece(s)
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Spécifications RJK5018DPK-00#T0

FabricantRenesas Electronics America
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C35A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs104nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4100pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)200W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs155 mOhm @ 17.5A, 10V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-3P
Paquet / casTO-3P-3, SC-65-3

RJK5018DPK-00#T0 fiche technique

RJK5018DPK-00#T0 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that RJK5018DPK-00#T0 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Renesas Electronics Corporation

POWER MOSFET - Rail/Tube

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D# RJK5018DPK-00#T0-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 500V 35A TO3P

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D# NS-RJK5018DPK-00#T0

Renesas Electronics Corporation

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