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RJK2557DPA-00#J0

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RJK2557DPA-00#J0

Pour Référence Seulement

Référence RJK2557DPA-00#J0
Fabricant Renesas Electronics America
Description MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
Fiche technique

RJK2557DPA-00#J0 Fiche technique

paquet 8-PowerWDFN
ECAD
En stock 30 000 piece(s)
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Spécifications RJK2557DPA-00#J0

FabricantRenesas Electronics America
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet8-PowerWDFN
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C17A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)30W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs128 mOhm @ 8.5A, 10V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-WPAK
Paquet / cas8-PowerWDFN

RJK2557DPA-00#J0 fiche technique

RJK2557DPA-00#J0 Packaging

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Sealing
Packing
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RJK2557DPA-00#J0 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that RJK2557DPA-00#J0 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RJK2557DPA-00#J0. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RJK2557DPA-00#J0 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RJK2557DPA-00#J0 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RJK2557DPA-00#J0 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RJK2557DPA-00#J0?
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