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RJK2009DPM-00#T0

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RJK2009DPM-00#T0

Pour Référence Seulement

Référence RJK2009DPM-00#T0
Fabricant Renesas Electronics America
Description MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Fiche technique

RJK2009DPM-00#T0 Fiche technique

paquet TO-3PFM, SC-93-3
ECAD
En stock 3 328 piece(s)
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Spécifications RJK2009DPM-00#T0

FabricantRenesas Electronics America
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-3PFM, SC-93-3
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C40A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 25V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs36 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-3PFM
Paquet / casTO-3PFM, SC-93-3

RJK2009DPM-00#T0 fiche technique

RJK2009DPM-00#T0 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

RJK2009DPM-00#T0 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RJK2009DPM-00#T0 is from the original manufacturer or authorized agents?
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RJK2009DPM-00#T0 Produits Connexes

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Référence Fabricant Description Stock

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Renesas Electronics Corporation

MOSFET - Rail/Tube

0
Référence Fabricant Description Stock

RJK2009DPM-00#T0

D# RJK2009DPM-00#T0-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

0
Référence Fabricant Description Stock

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D# NS-RJK2009DPM-00#T0

Renesas Electronics Corporation

OEM/CM ONLY

1923

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