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RHU002N06FRAT106

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Pour Référence Seulement

Référence RHU002N06FRAT106
Fabricant Rohm Semiconductor
Description MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 40 806 piece(s)
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Spécifications RHU002N06FRAT106

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C200mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs4.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)200mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs2.4Ohm @ 200mA, 10V
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurUMT3
Paquet / casSC-70, SOT-323

RHU002N06FRAT106 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

RHU002N06FRAT106 FAQ

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