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RFNL10BGE6STL

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Pour Référence Seulement

Référence RFNL10BGE6STL
Fabricant Rohm Semiconductor
Description DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 7 140 piece(s)
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Spécifications RFNL10BGE6STL

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Courant - Rectifié moyen (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.3 V @ 10 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)150 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseurTO-252GE
Température de fonctionnement - Jonction150°C

RFNL10BGE6STL Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RFNL10BGE6STL FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RFNL10BGE6STL. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RFNL10BGE6STL on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RFNL10BGE6STL products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RFNL10BGE6STL price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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