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RFN10TB4SNZC9

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Pour Référence Seulement

Référence RFN10TB4SNZC9
Fabricant Rohm Semiconductor
Description DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 925 piece(s)
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Spécifications RFN10TB4SNZC9

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)430 V
Courant - Rectifié moyen (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si1.55 V @ 10 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)30 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 430 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-220-2 Full Pack
Package de périphérique fournisseurTO-220NFM
Température de fonctionnement - Jonction150°C

RFN10TB4SNZC9 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

RFN10TB4SNZC9 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that RFN10TB4SNZC9 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RFN10TB4SNZC9?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of RFN10TB4SNZC9.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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