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RF1S45N06LESM9A

RF1S45N06LESM9A

RF1S45N06LESM9A

Pour Référence Seulement

Référence RF1S45N06LESM9A
Fabricant Harris Corporation
Description N-CHANNEL POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications RF1S45N06LESM9A

FabricantHarris Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FET-
La technologie-
Tension de drain à la source (Vdss)-
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C-
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs-
Température de fonctionnement-
Type de montage-
Package de périphérique fournisseur-
Paquet / cas-

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that RF1S45N06LESM9A is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the RF1S45N06LESM9A. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including RF1S45N06LESM9A on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of RF1S45N06LESM9A products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the RF1S45N06LESM9A price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RF1S45N06LESM9A?
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