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RF1001T2DNZC9

RF1001T2DNZC9

RF1001T2DNZC9

Pour Référence Seulement

Référence RF1001T2DNZC9
Fabricant Rohm Semiconductor
Description DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FN
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 820 piece(s)
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Spécifications RF1001T2DNZC9

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Configuration de diode1 Pair Common Cathode
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si930 mV @ 5 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)30 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
Température de fonctionnement - Jonction150°C
Type de montageThrough Hole
Paquet / casTO-220-3 Full Pack
Package de périphérique fournisseurTO-220FN

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Sealing
Packing
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RF1001T2DNZC9 FAQ

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