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RF081L2STFTE25

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Pour Référence Seulement

Référence RF081L2STFTE25
Fabricant Rohm Semiconductor
Description DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDS
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 12 195 piece(s)
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Spécifications RF081L2STFTE25

FabricantRohm Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Diodes - Redresseurs - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de diodeStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Courant - Rectifié moyen (Io)1.1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si980 mV @ 1.1 A
La vitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inversé (trr)25 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
Capacité @ Vr, F-
Type de montageSurface Mount
Paquet / casDO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseurPMDS
Température de fonctionnement - Jonction150°C

RF081L2STFTE25 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

RF081L2STFTE25 FAQ

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  • 3. Are the RF081L2STFTE25 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of RF081L2STFTE25?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of RF081L2STFTE25.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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