Name: R6025ANZFL1C8
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6025ANZFL1C8
Availability: InStock
Rating: 5 (166 reviews)

R6025ANZFL1C8

Pour Référence Seulement

Référence	R6025ANZFL1C8
Fabricant	Rohm Semiconductor
Description	MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 2 - déc. 7 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications R6025ANZFL1C8

Fabricant	Rohm Semiconductor
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	25A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3250 pF @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	150mOhm @ 12.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3PF
Paquet / cas	TO-3P-3 Full Pack

R6025ANZFL1C8 Packaging

R6025ANZFL1C8 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of R6025ANZFL1C8.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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