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PSMN8R0-30YL,115

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PSMN8R0-30YL,115

Pour Référence Seulement

Référence PSMN8R0-30YL,115
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
Fiche technique
paquet SC-100, SOT-669
ECAD
En stock 3 440 piece(s)
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Spécifications PSMN8R0-30YL,115

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetSC-100, SOT-669
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C62A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs18.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1005pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)56W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs8.3 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurLFPAK56, Power-SO8
Paquet / casSC-100, SOT-669

PSMN8R0-30YL,115 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

PSMN8R0-30YL,115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN8R0-30YL,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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PSMN8R0-30YL,115 Produits Connexes

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Now Nexperia PSMN8R0-30YL - 62A, 30V, 0.0122ohm, N-Channel Power MOSFET, LFPAK

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