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PSMN040-200W,127

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PSMN040-200W,127

Pour Référence Seulement

Référence PSMN040-200W,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
Fiche technique

PSMN040-200W,127 Fiche technique

paquet TO-247-3
ECAD
En stock 3 248 piece(s)
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Spécifications PSMN040-200W,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-247-3
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs183nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds9530pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)300W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs40 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

PSMN040-200W,127 fiche technique

PSMN040-200W,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

PSMN040-200W,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PSMN040-200W,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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PSMN040-200W,127 Produits Connexes

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