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PJS6416_S1_00001

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Pour Référence Seulement

Référence PJS6416_S1_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJS6416_S1_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7.4A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds513 pF @ 10 V
Vgs (Max)±12V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs27mOhm @ 7.4A, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23-6
Paquet / casSOT-23-6

PJS6416_S1_00001 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that PJS6416_S1_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the PJS6416_S1_00001 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJS6416_S1_00001.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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