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PJQ5866A-AU_R2_000A1

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Pour Référence Seulement

Référence PJQ5866A-AU_R2_000A1
Fabricant Panjit International Inc.
Description MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 16 434 piece(s)
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Spécifications PJQ5866A-AU_R2_000A1

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C7A (Ta), 40A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs13.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1574pF @ 25V
Puissance - Max2W (Ta), 68.2W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseurDFN5060B-8

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PJQ5866A-AU_R2_000A1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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