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PJQ5850_R2_00001

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Pour Référence Seulement

Référence PJQ5850_R2_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description MOSFET 2N-CH 40V 5A/14A 8DFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJQ5850_R2_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C5A (Ta), 14A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs33mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds425pF @ 25V
Puissance - Max1.7W (Ta), 12W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseurDFN5060B-8

PJQ5850_R2_00001 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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PJQ5850_R2_00001 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PJQ5850_R2_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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