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PJQ5494_R2_00001

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Pour Référence Seulement

Référence PJQ5494_R2_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJQ5494_R2_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)150 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C5A (Ta), 40A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2207 pF @ 75 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta), 131W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs35mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDFN5060-8
Paquet / cas8-PowerVDFN

PJQ5494_R2_00001 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that PJQ5494_R2_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJQ5494_R2_00001.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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