Name: PJQ4463AP-AU_R2_000A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: PJQ4463AP-AU_R2_000A1
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Pour Référence Seulement

Référence	PJQ4463AP-AU_R2_000A1
Fabricant	Panjit International Inc.
Description	60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	53 682 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 8 - nov. 13 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Fabricant	Panjit International Inc.
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.2A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	879 pF @ 30 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	68mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DFN3333-8
Paquet / cas	8-PowerVDFN

PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Packaging

PJQ4463AP-AU_R2_000A1 FAQ

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