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PJQ4441P_R2_00001

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Pour Référence Seulement

Référence PJQ4441P_R2_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 14 646 piece(s)
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Spécifications PJQ4441P_R2_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C8.5A (Ta), 44A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2030 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta), 59.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs17mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDFN3333-8
Paquet / cas8-PowerVDFN

PJQ4441P_R2_00001 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that PJQ4441P_R2_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Inform us within 90 days
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