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PJQ4409P_R2_00001

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PJQ4409P_R2_00001

Pour Référence Seulement

Référence PJQ4409P_R2_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJQ4409P_R2_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C6.5A (Ta), 24A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta), 30W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs30mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDFN3333-8
Paquet / cas8-PowerVDFN

PJQ4409P_R2_00001 Packaging

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Sealing
Packing
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