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PJQ1916_R1_00001

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Pour Référence Seulement

Référence PJQ1916_R1_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJQ1916_R1_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)20 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C950mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs1.1 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds46 pF @ 10 V
Vgs (Max)±8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)500mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs300mOhm @ 500mA, 4.5V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurDFN1006-3
Paquet / cas3-UFDFN

PJQ1916_R1_00001 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that PJQ1916_R1_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the PJQ1916_R1_00001 we delivered, we will accept the replacement or return of the PJQ1916_R1_00001 only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJQ1916_R1_00001.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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