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PJP60R620E_T0_00001

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Pour Référence Seulement

Référence PJP60R620E_T0_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJP60R620E_T0_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C1.2A (Ta), 7A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds457 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta), 78W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs620mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that PJP60R620E_T0_00001 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the PJP60R620E_T0_00001. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including PJP60R620E_T0_00001 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of PJP60R620E_T0_00001 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJP60R620E_T0_00001.
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    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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