Name: PJP60R620E_T0_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: PJP60R620E_T0_00001
Availability: InStock
Rating: 5 (165 reviews)

PJP60R620E_T0_00001

Pour Référence Seulement

Référence	PJP60R620E_T0_00001
Fabricant	Panjit International Inc.
Description	600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 4 - nov. 9 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications PJP60R620E_T0_00001

Fabricant	Panjit International Inc.
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.2A (Ta), 7A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	457 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta), 78W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	620mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3

PJP60R620E_T0_00001 Packaging

PJP60R620E_T0_00001 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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