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PJP5NA80_T0_00001

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Pour Référence Seulement

Référence PJP5NA80_T0_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 800V N-CHANNEL MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJP5NA80_T0_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)800 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C5A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds660 pF @ 25 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)146W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

PJP5NA80_T0_00001 Packaging

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Sealing
Packing
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJP5NA80_T0_00001.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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