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PJP4NA50A_T0_00001

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PJP4NA50A_T0_00001

Pour Référence Seulement

Référence PJP4NA50A_T0_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 500V N-CHANNEL MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJP4NA50A_T0_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)500 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs9.8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds449 pF @ 25 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)90W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.3Ohm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

PJP4NA50A_T0_00001 Packaging

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Sealing
Packing
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJP4NA50A_T0_00001.
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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