Name: PJMD990N65EC_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: PJMD990N65EC_L2_00001
Availability: InStock
Rating: 5 (146 reviews)

PJMD990N65EC_L2_00001

Pour Référence Seulement

Référence	PJMD990N65EC_L2_00001
Fabricant	Panjit International Inc.
Description	650V SUPER JUNCTION MOSFET
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	18 000 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 21 - nov. 26 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications PJMD990N65EC_L2_00001

Fabricant	Panjit International Inc.
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.7A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	306 pF @ 400 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	47.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	990mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252AA
Paquet / cas	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

PJMD990N65EC_L2_00001 Packaging

PJMD990N65EC_L2_00001 FAQ

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