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PJL9480_R2_00001

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Pour Référence Seulement

Référence PJL9480_R2_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 6 510 piece(s)
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Spécifications PJL9480_R2_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)150 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs29.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1764 pF @ 30 V
Vgs (Max)±25V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs65mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-SOP
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

PJL9480_R2_00001 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

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