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PJF4NA65H_T0_00001

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PJF4NA65H_T0_00001

Pour Référence Seulement

Référence PJF4NA65H_T0_00001
Fabricant Panjit International Inc.
Description 650V N-CHANNEL MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications PJF4NA65H_T0_00001

FabricantPanjit International Inc.
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C3A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs16.1 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds423 pF @ 25 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)23W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurITO-220AB
Paquet / casTO-220-3 Full Pack

PJF4NA65H_T0_00001 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJF4NA65H_T0_00001.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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