Name: PJD9N10A_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: PJD9N10A_L2_00001
Availability: InStock
Rating: 5 (193 reviews)

PJD9N10A_L2_00001

Pour Référence Seulement

Référence	PJD9N10A_L2_00001
Fabricant	Panjit International Inc.
Description	100V N-CHANNEL MOSFET
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	34 698 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 26 - déc. 31 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications PJD9N10A_L2_00001

Fabricant	Panjit International Inc.
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.4A (Ta), 9A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1021 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta), 31W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	152mOhm @ 4.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252
Paquet / cas	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

PJD9N10A_L2_00001 Packaging

PJD9N10A_L2_00001 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJD9N10A_L2_00001.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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