Name: PJD55N04V-AU_L2_002A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: PJD55N04V-AU_L2_002A1
Availability: InStock
Rating: 5 (174 reviews)

PJD55N04V-AU_L2_002A1

Pour Référence Seulement

Référence	PJD55N04V-AU_L2_002A1
Fabricant	Panjit International Inc.
Description	40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 18 - nov. 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications PJD55N04V-AU_L2_002A1

Fabricant	Panjit International Inc.
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	21.5A (Ta), 128A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 50µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2540 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta), 107W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.6mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252AA
Paquet / cas	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

PJD55N04V-AU_L2_002A1 Packaging

PJD55N04V-AU_L2_002A1 FAQ

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