Name: PJD18N20_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: PJD18N20_L2_00001
Availability: InStock
Rating: 5 (173 reviews)

PJD18N20_L2_00001

Pour Référence Seulement

Référence	PJD18N20_L2_00001
Fabricant	Panjit International Inc.
Description	200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	26 145 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 1 - oct. 6 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications PJD18N20_L2_00001

Fabricant	Panjit International Inc.
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1017 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	160mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252
Paquet / cas	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

PJD18N20_L2_00001 Packaging

PJD18N20_L2_00001 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of PJD18N20_L2_00001.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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