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PHM30NQ10T,518

PHM30NQ10T,518

PHM30NQ10T,518

Pour Référence Seulement

Référence PHM30NQ10T,518
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
Fiche technique

PHM30NQ10T,518 Fiche technique

paquet 8-VDFN Exposed Pad
ECAD
En stock 6 032 piece(s)
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Spécifications PHM30NQ10T,518

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet8-VDFN Exposed Pad
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C37.6A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs53.7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3600pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)62.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs20 mOhm @ 18A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-HVSON (6x5)
Paquet / cas8-VDFN Exposed Pad

PHM30NQ10T,518 fiche technique

PHM30NQ10T,518 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

PHM30NQ10T,518 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHM30NQ10T,518 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of PHM30NQ10T,518?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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