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PHB110NQ06LT,118

PHB110NQ06LT,118

PHB110NQ06LT,118

Pour Référence Seulement

Référence PHB110NQ06LT,118
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Fiche technique

PHB110NQ06LT,118 Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 5 872 piece(s)
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Spécifications PHB110NQ06LT,118

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3960pF @ 25V
Vgs (Max)±15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)200W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs7 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PHB110NQ06LT,118 fiche technique

PHB110NQ06LT,118 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that PHB110NQ06LT,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# 568-2183-2-ND

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MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

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