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PDTB123EK,115

PDTB123EK,115

PDTB123EK,115

Pour Référence Seulement

Référence PDTB123EK,115
Fabricant NXP
Description TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
Fiche technique

PDTB123EK,115 Fiche technique

paquet TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
En stock 3 072 piece(s)
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Spécifications PDTB123EK,115

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
paquetTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Séries-
Type de transistorPNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)500mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)2.2k
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Fréquence - Transition-
Puissance - Max250mW
Type de montageSurface Mount
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseurSMT3; MPAK

PDTB123EK,115 fiche technique

PDTB123EK,115 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

PDTB123EK,115 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that PDTB123EK,115 is from the original manufacturer or authorized agents?
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PDTB123EK,115 Produits Connexes

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ITB2415S ITB2415S XP Power, DC-DC 1W SINGLE O/P SIP UNREG, 7-SIP Module, 4 Leads, - Vue

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PHILIPS SEMICONDUCTORS

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

7200
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