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NVXR17S90M2SPB

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Pour Référence Seulement

Référence NVXR17S90M2SPB
Fabricant onsemi
Description SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPB
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NVXR17S90M2SPB

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C620A (Tj)
Rds sur (max) @ id, vgs2.1mOhm @ 620A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id4.3V @ 200mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs2400nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds45000pF @ 400V
Puissance - Max1kW (Tj)
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurSSDC39

NVXR17S90M2SPB Packaging

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Sealing
Packing
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NVXR17S90M2SPB FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVXR17S90M2SPB is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVXR17S90M2SPB?
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