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NVTFS6H888NWFTAG

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Pour Référence Seulement

Référence NVTFS6H888NWFTAG
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NVTFS6H888NWFTAG

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.7A (Ta), 12A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 15µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 40 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.9W (Ta), 18W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs55mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / cas8-PowerWDFN

NVTFS6H888NWFTAG Packaging

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Packing
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  • 5. How is the shipping arranged?
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