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NVTFS6H888NLWFTAG

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Pour Référence Seulement

Référence NVTFS6H888NLWFTAG
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NVTFS6H888NLWFTAG

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C4.9A (Ta), 14A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 15µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds258 pF @ 40 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.9W (Ta), 23W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs50mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / cas8-PowerWDFN

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Packing
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