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NVMYS3D3N06CLTWG

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Pour Référence Seulement

Référence NVMYS3D3N06CLTWG
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NVMYS3D3N06CLTWG

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C26A (Ta), 133A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs40.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2880 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurLFPAK4 (5x6)
Paquet / casSOT-1023, 4-LFPAK

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Packing
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  • 3. Are the NVMYS3D3N06CLTWG price and inventory displayed accurate?
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