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NVMYS1D2N04CLTWG

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NVMYS1D2N04CLTWG

Pour Référence Seulement

Référence NVMYS1D2N04CLTWG
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NVMYS1D2N04CLTWG

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C44A (Ta), 258A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 180µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6330 pF @ 20 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.9W (Ta), 134W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs1.2mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurLFPAK4 (5x6)
Paquet / casSOT-1023, 4-LFPAK

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Sealing
Packing
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NVMYS1D2N04CLTWG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVMYS1D2N04CLTWG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NVMYS1D2N04CLTWG price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVMYS1D2N04CLTWG?
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    (1)Inform us within 90 days
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