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NVMYS016N10MCLTWG

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Pour Référence Seulement

Référence NVMYS016N10MCLTWG
Fabricant onsemi
Description PTNG 100V LL LFPAK4
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 27 000 piece(s)
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Spécifications NVMYS016N10MCLTWG

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C10.9A (Ta), 46A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 64µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 50 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.6W (Ta), 64W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs14mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurLFPAK4 (5x6)
Paquet / casSOT-1023, 4-LFPAK

NVMYS016N10MCLTWG Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

NVMYS016N10MCLTWG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVMYS016N10MCLTWG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NVMYS016N10MCLTWG price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVMYS016N10MCLTWG.
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RES SMD 0.0005 OHM 1% 5W 3920

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