Name: NVMFS6H818NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H818NLWFT1G
Availability: InStock
Rating: 5 (68 reviews)

NVMFS6H818NLWFT1G

Pour Référence Seulement

Référence	NVMFS6H818NLWFT1G
Fabricant	onsemi
Description	MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 28 - janv. 2 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NVMFS6H818NLWFT1G

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	80 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	22A (Ta), 135A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 190µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3844 pF @ 40 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	3.2mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount, Wettable Flank
Package de périphérique fournisseur	5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paquet / cas	8-PowerTDFN, 5 Leads

NVMFS6H818NLWFT1G Packaging

NVMFS6H818NLWFT1G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NVMFS6H818NLWFT1G we delivered, we will accept the replacement or return of the NVMFS6H818NLWFT1G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVMFS6H818NLWFT1G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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